SK하이닉스가 미래 반도체 기술의 핵심인 차세대 D램 기술 로드맵을 공개하며 업계의 주목을 받고 있습니다. 특히 10나노급 이하의 초미세 공정을 중심으로 한 혁신적인 기술 개발 계획을 제시하여, 향후 30년간 SK하이닉스의 기술 리더십을 강화할 것으로 기대됩니다.

SK하이닉스는 8일부터 12일까지 일본 교토에서 개최된 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'에서 이 로드맵을 공식 발표했습니다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 수준의 학술 교류가 이루어지는 권위 있는 행사로, SK하이닉스의 기술 비전을 공유하는 중요한 기회가 되었습니다.

10나노급 이하 D램, 미래 기술의 핵심

최근 메모리 반도체 시장은 고성능, 저전력, 고용량화에 대한 요구가 끊임없이 증가하고 있습니다. 이러한 요구를 충족하기 위해서는 더욱 미세한 공정 기술이 필수적이며, SK하이닉스는 10나노급 이하의 D램 기술 개발에 집중 투자하고 있습니다. 10나노급 이하 공정은 기존 공정에 비해 집적도를 높여 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 하며, 전력 소비를 줄여 모바일 기기나 데이터 센터 등 다양한 분야에서 효율성을 높일 수 있습니다.

SK하이닉스의 차세대 D램 기술 로드맵

SK하이닉스가 공개한 로드맵은 다음과 같은 주요 내용을 담고 있습니다:

• 고대역폭 메모리 (HBM) 기술 강화: HBM은 여러 개의 메모리 칩을 수직으로 쌓아 올려 데이터 전송 속도를 획기적으로 높이는 기술입니다. SK하이닉스는 HBM 기술을 더욱 발전시켜 고성능 컴퓨팅 시장의 수요에 적극적으로 대응할 계획입니다.
• 차세대 공정 기술 개발: 10나노급 이하 공정 기술뿐만 아니라, EUV (Extreme Ultraviolet) 노광 기술 등 차세대 공정 기술 개발에도 지속적으로 투자하여 기술 경쟁력을 확보할 것입니다.
• 새로운 메모리 구조 연구: 기존의 DRAM 구조를 뛰어넘는 새로운 메모리 구조를 연구하여, 데이터 저장 방식과 성능을 혁신적으로 개선할 계획입니다.
• 인공지능 (AI) 맞춤형 메모리 개발: 인공지능 워크로드에 최적화된 메모리 솔루션을 개발하여, AI 시장의 성장을 지원할 것입니다.

미래를 향한 SK하이닉스의 끊임없는 도전

SK하이닉스는 이번 로드맵 공개를 통해, 미래 반도체 기술을 선도하는 기업으로서의 의지를 다시 한번 확인했습니다. 끊임없는 기술 혁신과 투자를 통해, 글로벌 메모리 반도체 시장에서 경쟁 우위를 확보하고, 더 나은 미래를 만들어 나갈 것입니다. 특히, 10나노급 이하 D램 기술 개발은 SK하이닉스의 미래 성장 동력이 될 것으로 기대됩니다.