삼성, HBM4 설계 기술 혁신으로 AI 시장 선점 노려! 발열·수율 문제 해결

매일경제

삼성전자가 차세대 메모리 시장을 선도하기 위한 핵심 기술 개발에 성공하며 AI 시장 판도를 뒤흔들 준비를 마쳤습니다. 특히 고대역폭메모리(HBM)4에 대한 대응력을 확보하며 업계의 주목을 받고 있습니다. 이번에 삼성전자가 완성한 기술은 6세대(1c) D램 개발 과정에서 이루어진 것으로, D램 칩 내부의 핵심 통로 역할을 하는 '중앙 배선층' 구조를 혁신적으로 개선한 것입니다. 중앙 배선층은 전력과 신호가 지나가는 중요한 경로인데, 그동안 이 ...더 읽기